НИА-Томск Томск
Сегодня: вторник, 26 марта 2019 года

Экономика | Политика | Власть | Финансы | Общество | Наука и образование | Муниципалитеты | Главное в России | Мировые новости | | Новости Сибири | Лента дня



 


Погода в Томске



Уровень радиационного фона on-line

© 2010, НИА-Томск

эл. почта: nia.tomsk@mail.ru


Рейтинг@Mail.ru










Наука и образование


Ученые ТУСУРа создали первый в Томске гетероструктурный транзистор, соответствующий мировым стандартам

НИА-Томск

15.03.2010 18:40

Группа технологов-разработчиков НОЦ «Нанотехнологии» ТУСУРа завершила работу по созданию гетероструктурного транзистора на арсениде галлия, отвечающего мировым стандартам, сообщил НИА в понедельник сотрудник пресс-службы обладминистрации.

«Транзистор на базе арсенида галлия изготовлен по самой современной гетероструктурной технологии и имеет топологический размер около 100 нанометров, что отвечает мировым стандартам. Перед группой технологов-разработчиков стояла очень сложная задача, ведь подобного рода технологические операции подробно в литературе не описываются. Все фирмы-производители строго хранят секреты производства не только потому, что это их ноу-хау, но и потому, что существуют ограничения на государственном уровне. Так, развитые страны отказываются продавать не только технологию производства подобных гетероструктурных транзисторов, но часто и сами устройства, поскольку они применяются и в военных целях», — говорится в сообщении.

Измерения в НОЦ «Нанотехнологии» показали, что транзистор обладает хорошими параметрами и может усиливать сигналы с частотами до 100 Гигагерц и выше. Гетероструктурные транзисторы являются основным элементом наиболее распространенных изделий СВЧ-наноэлектроники – СВЧ монолитных интегральных схем. В свою очередь, такие интегральные схемы позволяют создать качественно новые радиоэлектронные и телекоммуникационные системы различного назначения.

Следующий этап работы над гетероструктурным транзистором состоит в том, чтобы оптимизировать его конструкцию и добиться повторяемости процесса. После этого можно будет поставить технологию транзисторов на поток и начать опытное производство СВЧ интегральных схем на их основе. Интегральные схемы мирового уровня будут производиться совместно с известной фирмой «Микран».

СВЧ-наноэлектроника – одно из приоритетных научных направлений развития ТУСУРа. Изделия СВЧ-наноэлектроники уже применяются и будут все более широко применяться в системах космической, спутниковой и мобильной связи, высокоскоростном Интернете, телевидении высокой четкости, СВЧ-радиометрии, глобальной навигации, радиолокации, авионике, электронных средствах вооружений, устройствах для борьбы с терроризмом. Разработка ученых ТУСУРа является значительным шагом вперед в развитии отечественной СВЧ-наноэлектроники.

У НОЦ «Нанотехнологии» уже есть опыт создания интегральных схем — совместно с Институтом СВЧ полупроводниковой электроники РАН по проекту томичей в январе 2010 был изготовлен первый в России усилитель мощности миллиметрового диапазона волн.

НОЦ «Нанотехнологии» основан в 2008 году для подготовки кадров высшей квалификации и проведения научных исследований в области СВЧ-наноэлектроники и нанотехнологий. Работы по созданию НОЦ финансировались за счет средств Федеральной целевой программы «Развитие инфраструктуры наноиндустрии на 2008-2010 годы», размер гранта составил 129,5 млн. рублей. Партнерами НОЦ «Нанотехнологии» являются НПФ «Микран» (Томск), Институт СВЧ полупроводниковой электроники РАН (Москва), Исследовательский институт СВЧ и оптической связи XLIM при Лиможском университете (Франция), Французское космическое агентство CNES, Голландский астрономический центр ASTRON.


При использовании материала ссылка на Независимое информационное агентство обязательна!

Версия для печатиВерсия для печати
Поделиться



 

Проекты    Партнеры    Подписка    Реклама    Лента дня    RSS    Контакты    Карта сайта