НИА-Томск Томск
Сегодня: пятница, 26 апреля 2024 года

Экономика | Политика | Власть | Финансы | Общество | Наука и образование | Муниципалитеты | Главное в России | Мировые новости | | Новости Сибири | Лента дня



 


Погода в Томске



Уровень радиационного фона on-line

© 2010, НИА-Томск

эл. почта: nia.tomsk@mail.ru


Рейтинг@Mail.ru










Наука и образование


Ученые ТУСУР создают новый класс транзисторов без использования драгоценных металлов

НИА-Томск

17.11.2011 18:12

Ученым ТУСУР удалось разработать транзистор без использования драгоценных металлов, не имеющий мировых аналогов, сообщил НИА Томск сотрудник пресс-службы вуза.

Проект, реализующийся в научно-образовательном центре ТУСУРа «Нанотехнологии», посвящен созданию транзисторов с металлизацией на основе меди, не имеющих мировых аналогов.

В настоящее время в производстве арсенид-галлиевых монолитных интегральных схем и транзисторов, на базе которых они создаются, используются драгоценные металлы: платина, палладий, золото, что, влияет на конечную стоимость приборов. Эти металлы могут быть заменены менее дорогой альтернативой – медью. По мнению томских разработчиков, отказ от применения драгоценных металлов и переход к металлизации на основе меди при изготовлении транзисторов позволит не только уменьшить себестоимость их производства, но и повысить технические характеристики.

Ученые ТУСУРа предложили собственный оригинальный метод — металлизацию транзистора с использованием соединения меди с германием, которое также получается оригинальным способом.

«Нашей основной задачей было создание транзистора с высокой надежностью параметров, — сказал руководитель проекта по разработке технологии производства транзисторов, аспирант кафедры физической электроники Евгений Ерофеев. — В прошлом году мы подали заявку на изобретение на данный эффект: нам удалось разработать первый в мире нанотранзистор, который имеет параметры не хуже, чем медный, однако по надежности превосходит его в разы»

Испытания транзистора – ключевого элемента интегральных схем – прошли успешно, поэтому в 2012 году разработчики планируют создать на его основе технологию изготовления монолитной интегральной схемы и подать заявку на патент США.

После этого, по словам Евгения Ерофеева, начнется внедрение готовой технологии в производство, которое будут осуществлять специалисты научно-производственной фирмы «Микран». Разработка аспиранта ТУСУР является одним из направлений совместной работы университета и компании в рамках проекта по созданию высокотехнологичного производства по 218 постановлению Правительства РФ.

Помимо Томска, собственную разработку молодой ученый уже представлял на ведущих конференциях по СВЧ-электронике в Париже и Манчестере (Англия), где получил высокую оценку иностранных специалистов.


При использовании материала ссылка на Независимое информационное агентство обязательна!

Версия для печатиВерсия для печати
Поделиться



 

Проекты    Партнеры    Подписка    Реклама    Лента дня    RSS    Контакты    Карта сайта